SiC ডিভাইস প্যাকেজিং প্রযুক্তির বিকাশ পিছিয়ে আছে
একটি বার্তা রেখে যান
SiC ডিভাইস প্যাকেজিং প্রযুক্তির বিকাশ পিছিয়ে আছে
বর্তমানে, বিশ্বব্যাপী অনেক মূলধারার পাওয়ার ডিভাইস সরবরাহকারীরা SiC চিপস নিয়ে গবেষণা ও উন্নয়ন পরিচালনা করেছে, কিন্তু তুলনায়, SiC ডিভাইসগুলির জন্য প্যাকেজিং প্রযুক্তির বিকাশ পিছিয়ে রয়েছে। Si চিপসের সাথে তুলনা করে, SiC চিপগুলির উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে এবং তাদের অপারেটিং তাপমাত্রা এমনকি 200 ডিগ্রি অতিক্রম করতে পারে। যাইহোক, বর্তমানে SiC মডিউলগুলিতে ব্যবহৃত সিলিং প্রযুক্তি এখনও Si মডিউলগুলির নকশা অনুসরণ করে এবং তাদের নির্ভরযোগ্যতা এবং জীবনকাল 200 ডিগ্রি কাজের প্রয়োজনীয়তা পূরণ করতে পারে না। SiC চিপগুলির প্রয়োগের শর্ত সীমিত।
ড্রাইভ সুরক্ষা প্রযুক্তি
Si চিপসের সাথে তুলনা করে, SiC চিপগুলির শর্ট সার্কিট সহনশীলতা ব্যাপকভাবে হ্রাস পেয়েছে। অতএব, অপারেশন চলাকালীন SiC ডিভাইসগুলির শর্ট সার্কিট ব্যর্থতা প্রতিরোধ করার জন্য, ড্রাইভিং সার্কিটের জন্য কম প্রতিক্রিয়া সময় থাকা প্রয়োজন, যা SiC ডিভাইস ড্রাইভিং সার্কিটগুলির সুরক্ষা প্রযুক্তির জন্য একটি বড় চ্যালেঞ্জ তৈরি করে।
তাপ নকশা
একটি একক SiC চিপের ছোট ক্ষেত্রফলের কারণে, উচ্চ-পাওয়ার আউটপুট অর্জনের জন্য সমান্তরালে আরও চিপ ব্যবহার করতে হবে। প্রতিটি চিপের মধ্যে তাপীয় ভারসাম্য নিশ্চিত করতে মডিউলের ভিতরে চিপগুলির জন্য একটি যুক্তিসঙ্গত বিন্যাস কীভাবে ডিজাইন করা যায় এবং চিপগুলির হট স্পট তাপমাত্রা নিরীক্ষণ করা একটি বড় চ্যালেঞ্জ।
উচ্চ সুইচিং গতির কারণে ইএমআই এবং নিরোধক সমস্যা
Si ডিভাইসের সাথে তুলনা করে, SiC ডিভাইসগুলির সুইচিং গতি উল্লেখযোগ্যভাবে উন্নত করা যেতে পারে এবং সুইচিং প্রক্রিয়া চলাকালীন di/dt এবং dv/dt উভয়ই বাড়ানো যেতে পারে। যদিও এটি ডিভাইসের সুইচিং লস কমাতে সাহায্য করে, অন্যদিকে, এটি গুরুতর EMI সমস্যা সৃষ্টি করতে পারে। EMI দমন করার জন্য কন্ট্রোল সার্কিট এবং ফিল্টারিং সার্কিটকে যুক্তিসঙ্গতভাবে কীভাবে ডিজাইন করবেন তাও একটি গুরুত্বপূর্ণ বিষয়। একই সময়ে, উচ্চ ডিভি/ডিটি মোটর উইন্ডিংগুলির নিরোধকের উপর নেতিবাচক প্রভাব ফেলে, যা ইনামেলড তার এবং ইনসুলেশন রিংগুলির মতো নিরোধক উপাদানগুলির বার্ধক্যকে ত্বরান্বিত করতে পারে, এইভাবে মোটরগুলির নিরোধক ডিজাইনে নতুন চ্যালেঞ্জ তৈরি করে৷
Www.superbheater.com
